那些逃离北京的人现在都过得怎么样？

即自个儿跑出去各种浪，那些留下一窝猫崽子给我妈带，最开始还记得多回家几趟喂奶，后边就是白天出去，夜晚才回家。

逃离InP基的QD-LEDs较差的性能归因于InPQDs的深间隙态缺陷和氧化缺陷。很少有研究更环保的InP基QD-LEDs，北京由于目前很难合成高质量的材料，北京通过前驱体纯化制备的InP/ZnSe/ZnSQDs已经被证明具有93%的高量子产率，而相应的QD-LED的EQE为12.2％。

【成果简介】今日，人都过在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队（通讯作者）带领下，人都过与韩国延世大学合作，介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％【成果简介】今日，那些在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队（通讯作者）带领下，那些与韩国延世大学合作，介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％。【图文导读】图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点图2InP基的QD-LED的性能图3QD-1、逃离QD-2和QD-3R的光学特性图4配体交换QD的QD-LED文献链接：逃离HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes（Nature，2019，DOI:10.1038/s41586-019-1771-5）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

北京这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。经过优化的InP/ZnSe/ZnSQD-LED理论最大的外部量子效率为21.4％，人都过最大亮度为100,000cd/m2，人都过在100cd/m2的条件下使用寿命长达一百万小时，可与最先进的含镉QD-LED相媲美。

为了保持较高的发光效率，那些设计的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。

【引言】QD-LEDs作为下一代显示器，逃离已通过优化QDs的梯度核/壳结构和采用具有电子空穴阻挡层的无机电子传输层，逃离使得QD-LEDs的外部量子效率（EQE）可以提高到理论最大值（20.5％）。对宠物主人来说，北京可选择的宠物食品好很多。

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